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    • 专利摘要:
    Ein isothermisches Prägeverfahren wird beschrieben. Eine Abdeckschicht kann mit einem Prägestempel bei einer Temperatur von mindestens der Übergangstemperatur der Abdeckschicht erwärmt werden. Der Prägestempel kann dann vor dem Abkühlen von der Abdeckschhicht getrennt werden.
    公开号:DE102004014732A1
    申请号:DE200410014732
    申请日:2004-03-25
    公开日:2004-11-04
    发明作者:Christopher H. Los Gatos Bajorek
    申请人:WD Media LLC；
    IPC主号:G11B5-65
    专利说明:
    [0001] Ausführungsformendieser Erfindung betreffen das Gebiet der Magnetaufzeichnungsplattenund insbesondere die Herstellung von Magnetaufzeichnungsplatten.
    [0002] EinPlattenlaufwerksystem umfasst eine oder mehrere Magnetaufzeichnungsplattenund Steuermechanismen zum Speichern von Daten auf den Platten. DasLesen und Schreiben von Daten wird durchgeführt, indem ein Lese-/Schreibkopf über diePlatte schwebt, um die Eigenschaften der Magnetschicht der Plattezu verändern.Der Lese-/Schreibkopf ist typischerweise Teil eines größeren Körpers odermit einem größeren Körper verbunden,der überder Platte schwebt und als Schieber bezeichnet wird.
    [0003] DerTrend beim Design von Magnetfestplattenlaufwerken ist es, die Aufzeichnungsdichteeines Plattenlaufwerksystems zu erhöhen. Die Aufzeichnungsdichteist ein Maß derMenge von Daten, die in einem bestimmten Bereich einer Platte gespeichert werdenkönnen.Um die Aufzeichnungsdichte zu erhöhen, hat sich die Kopftechnologiezum Beispiel von Ferrit-Köpfen zuSchichtköpfenund anschließendzu magnetoresistiven Köpfen(MR-Köpfen)und giant-magnetoresistiven Köpfen(GMR-Köpfen) geändert.
    [0004] UmhöhereFlächendichten(das ist die Anzahl von gespeicherten Bits pro Oberflächeneinheit) zuerreichen, ist es notwendig, daß dieDatenspuren nahe beieinander liegen. Auch weil die Spurbreiten sehrklein sind, kann jede Abweichung einer Spur (z.B. durch thermischeAusdehnung) das Schreiben und/oder Lesen durch den Kopf durch einebenachbarte Spur beeinflußtwerden. Dieses Verhalten wird im Allgemeinen als Interferenz zwischenbenachbarten Spuren (ATI) bezeichnet. Ein Verfahren, ATI zu begegnen,ist die Oberflächeder Platte zu strukturieren, um diskrete Datenspuren zu bilden,wobei das Verfahren als Aufzeichnen von diskreten Spuren (DTR) bezeichnetwird.
    [0005] Einebekannte DTR-Struktur verwendet ein Muster von konzentrischen Erhebungs-und Senkungszonen unter einer Magnetaufzeichnungsschicht. Die Erhebungszonen(auch als Hügel,Land, Erhebungen usw. bekannt) werden zum Speichern von Daten benutzt,und die Senkungszonen (auch als Mulden, Täler, Gräben usw. bekannt) schaffendie Isolation zwischen den Spuren, um Rauschen zu reduzieren. DieErhebungszonen weisen eine Breite auf, die kleiner ist als die Breitedes Aufzeichnungskopfes, so dass sich Teile des Kopfes während des Betriebs über dieSenkungszonen erstrecken. Die Senkungszonen weisen eine Tiefe auf,die relativ zu der Schwebehöheeines Aufzeichnungskopfes und den Erhebungszonen ist. Die Senkungszonensind von dem Kopf ausreichend entfernt, um das Speichern von DatenMit Hilfe des Kopfes in der direkt unterhalb der Senkungszonen befindlichenMagnetschicht zu blockieren. Die Erhebungszonen befinden sich ausreichendnahe an dem Kopf, um das Schreiben von Daten in der direkt an denErhebungszonen angeordneten Magnetschicht zu ermöglichen.
    [0006] Somitentsprechen die Erhebungszonen den Datenspuren, wenn Daten auf dasAufzeichnungsmedium geschrieben werden. Die Senkungszonen isolierendie Erhebungszonen (z.B. die Datenspuren) voneinander, was zu Datenspurenführt,die sowohl physikalisch als auch magnetisch definiert sind. SolcheSenkungszonen könnenauch Servoinformationen speichern. Wenn die Daten durch den Kopfauf eine bestimmten Datenspur (Erhebungszonen) geschrieben werden,wird das Schreiben von Daten auf benachbarte Senkungszonen blockiert,weil die Magnetschicht unterhalb der Senkungszone zu weit von dem.Kopf entfernt ist, um Wechsel der Magnetisierung zu induzieren.
    [0007] EineDTR Struktur kann durch ein Nano-Präge-Lithographi-Verfahren (NIL) gebildetwerden. Ein bekanntes NIL-Verfahren prägt einen Abdruck in eine Polymer-Abdeckschichtauf einem Plattensubstrat. Währenddes Prägeschritteswerden sowohl die Form als auch die mit dem Abdeckmaterial beschichtetePlatte erwärmtz.B. auf 175 Grad Celcius. Die Form und die Platte werden zusammengedrückt und dannauf Raumtemperatur herunter gekühlt.Nach dem Abkühlenauf Raumtemperatur wird die Form von der Platte getrennt, was ineiner Struktur von konzentrischen Erhebungszonen und Senkungszonenin der Abdeckschicht resultiert. Jedoch kann das Abkühlen dergekoppelten Form/Platte auf Raumtemperatur vor ihrer Trennung zuProblemen führen, wiez.B. zu Schwierigkeiten bei der Trennung und zu einer Beschädigung derresultierenden geprägten Strukturin dem Abdeckschicht währendder Trennung.
    [0008] Daszuvor genannte Problem ist in der Tatsache begründet, dass die meisten NIL-SystemeFormen und Werkstückeerfordern (z.B. mit einer Abdeckschicht beschichtete Platten) dieunterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten aufweisen.Der Unterschied der thermischen Ausdehnungskoeffizienten in Verbindungmit den Temperaturänderungender Form und des WerkstückskönnenSpannungen oder eine relative Bewegung zwischen der Form und demWerkstückhervorrufen, die überdie genauen Abmessungen, die durch den NIL-Prozess erreicht werdensollen, hinausgehen.
    [0009] Dievorliegende Erfindung wird beispielhaft und nicht einschränkend inden Figuren der beigefügtenZeichnungen dargestellt, in denen:
    [0010] 1a eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformeiner zweilagigen Abdeckschicht darstellt, der über einem Plattensubstrat angeordnet ist;
    [0011] 1b eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformdes Prägenseiner zweilagigen Abdeckschicht durch einen Prägestempel darstellt;
    [0012] 1c eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformeiner vorteilhaft selektiv entfernten zweilagigen Abdeckschichtdarstellt;
    [0013] 1d ist eine Querschnittsansicht,die eine Ausführungsformeines Stapels einer Magnetschicht darstellt, der auf einem strukturiertenSubstrat aufgebracht ist;
    [0014] 1e eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformeiner strukturierten Magnetschicht nach dem Abheben darstellt;
    [0015] 2 ist ein Flußdiagramm,das eine Ausführungsformeines Verfahrens zum Bilden einer strukturierten Magnetaufzeichnungsplattemit diskreten Spuren mit Hilfe einer zweilagigen Abdeckschicht für das Abhebeneiner Magnetschicht darstellt;
    [0016] 3 eine Ausführungsformeines chemischen Aufdampfprozesses darstellt;
    [0017] 4 eine Ausführungsformder Abscheidung der Schutzschicht darstellt;
    [0018] 5a eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformeiner strukturierten Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren miteiner nicht durchgängigenSchutzschicht darstellt;
    [0019] 5b eine Querschnittsansichtist, die eine alternative Ausführungsformeiner strukturierten Aufzeichnungsplatte mit diskreten Spuren miteiner nicht durchgängigenSchutzschicht und einer durchgängigenSchutzschicht darstellt;
    [0020] 6 eine Ausführungsformeines Plattenlaufwerksystems darstellt;
    [0021] 7a eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformeiner Abdeckschicht, die auf einem Plattensubstrat aufgebracht ist,darstellt;
    [0022] 7b eine Querschnittsansichtist, die eine Ausführungsformdes Prägensder Abdeckschicht durch einen Prägestempeldarstellt;
    [0023] 8a ein Flussdiagramm ist,das eine Ausführungsformeines Verfahrens zum Prägeneiner Abdeckschicht darstellt;
    [0024] 8b ein Flussdiagramm ist,das eine alternative Ausführungsformeines Verfahrens zum Prägeneiner Abdeckschicht darstellt; und
    [0025] 8c ein Flussdiagramm ist,das eine Ausführungsformeines Verfahrens zum Prägeneiner Abdeckschicht darstellt.
    [0026] Inder nachfolgenden Beschreibung werden zahlreiche spezifische Details,z.B. spezifische Materialien oder Komponenten beschrieben, um ein gründlichesVerständnisder vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es ist jedoch für einenFachmann selbstverständlich,daß diesespezifischen Details nicht angewendet werden müssen, um die Erfindung auszuführen. Inanderen Beispielen sind gut bekannte Komponenten oder Verfahrennicht ausführlichbeschrieben worden, um ein unnötigesVerschleiern der vorliegenden Erfindung zu vermeiden.
    [0027] DieBegriffe „über", „unter", „zwischen", „unter" und „ober", die hierin benutzt,beziehen sich auf die relative Position einer Schicht mit Bezugauf die anderen Schichten. Wenn z.B. eine Schicht über oderunter einer anderen Schicht abgeschieden oder aufgebracht wird,kann diese direkt in Kontakt mit der anderen Schicht sein, oderes könneneine oder mehrere Zwischenschichten angeordnet sein. Weiterhin kanneine Schicht, die zwischen Schichten abgeschieden oder angeordnetist, direkt in Kontakt mit den Schichten sein oder eine oder mehrereZwischenschichten aufweisen.
    [0028] EinVerfahren zum Herstellen einer Aufzeichnungsplatte mit diskretenSpuren mit Hilfe einer zweilagigen Schichttechnik zum Abheben vonMetall wird nachfolgend beschrieben. Bei einer Ausführungsformkann das Verfahren verwendet werden, um eine DTR-Längsmagnetisierungs-Magnetaufzeichnungsplattemit einer mit Nickelphosphid (NiP) beschichtetes Substrat als Basisstrukturherzustellen. Das Verfahren kann auch verwendet werden, um eine DTR-Vertikalmagnetisierungs-Magnetaufzeichnungsplattemit einer Weichmagnetschicht, die auf einem Substrat für die Basisstrukturaufgebracht wird, herzustellen. Die Weichmagnetische Schicht in der Basisstrukturkann aus einer einfachen weichmagnetischen Unterschicht oder mehrerenweichmagnetischen Unterschichten zusammengesetzt sein, die Ruthenium(Ru)-Zwischenschichten, die dazwischen angeordnet sind, aufweisen.
    [0029] Einezweilagige Schicht füreine Abhebe-Technik umfasst das Abscheiden einer zweilagigen Abdeckschichtauf der Basisstruktur, Prägender zweilagigen Schicht, Selektives Enfernen der Schicht, Abscheideneines Metallschichtenstapels und Abheben der zweilagigen Schichtund des darüberangeordneten Schichtenstapels. Die Zweilagenschicht-Technik umfasstdas Unterschneiden einer der Abdeckschichten, um einen nicht durchgängig abgeschiedenenMagnetschichtenstapel zu erzeugen. Der Magnetschichtenstapel, derauf der zweilagigen Schicht abgeschieden ist, kann nachfolgend abgehobenwerden, indem eine oder beide der Abdeckschichten der zweilagigenSchicht selektiv geätztwerden, was zu einem strukturierten DTR-Magnetschichtenstapel aufder Basisstruktur führt.
    [0030] DerMetallschichtenstapel kann zumindest eine Schutzschicht aufweisen,die ein Material wie beispielsweise Kohlenstoff enthält. Dasnachfolgende Abheben der Schutzschicht bzw. der Schutzschichten(z.B. der Kohlenstoffschicht) in dem Metallschichtenstapel, erzeugteine magnetische Aufzeichnungsplatte mit einer nicht durchgängigen Schutzschicht.Bei einer alternativen Ausführungsformkann die Schutzschicht nach dem Abheben abgeschieden sein, um einemagnetische Aufzeichnungsplatte mit einer durchgängigen Schutzschicht zu erzeugen.In einer weiteren Ausführungsformkann das Abscheiden einer zusätzlichenSchutzschicht nach dem Abheben durchgeführt werden, um eine magnetische Aufzeichnungsplattemit sowohl durchgängigenals auch nicht durchgängigenSchutzschichten zu erzeugen.
    [0031] Die 1a bis 1e und 2 stelleneine Ausführungsformeines Verfahrens zum Herstellen einer Aufzeichnungsplatte mit diskretenSpuren mit Hilfe eines zweilagigen Abdeckmaterials zum Abheben vonMetall dar. Insbesondere ist die 1a eine Querschnittsansicht,die eine Ausführungsformeiner zweilagigen Abdeckschicht darstellt, der auf einer Basisstruktureiner Platte aufgebracht ist. Das zweilagige Abdeckmaterial 30 dientzum Unterschneiden einer der Abdeckschichten, um einen nicht durchgängigen Schichtenstapel 50 aufder Basisstruktur 10 zu erzeugen. Der Schichtenstapel 50,der überder zweilagigen Schicht 30 abgeschieden wird, kann nachfolgenddurch Ätzender unteren Abdeckschicht 32 der zweilagigen Schicht 30 abgehobenwerden, was zu Schichtenstapeln in diskreten Bereichen auf der Basisstrukturführt.Bei einer Ausführungsformkann eine Zweilagen-Nanoprägelitographie-Technik,wie nachfolgend beschrieben, verwendet werden, die teilweise ähnlich zuderjenigen ist, die in „Bilayer,Nanoimprint Lithographie",Bria Faircloth et al., J. VAC. SCI. Technology B 18(4), July/August2000" beschriebenist.
    [0032] Einezweilagige Abdeckschicht 30 wird auf einer Basisstruktur 10 gemäß Schritt 110 aufgebracht.Bei einer Ausführungsformkann die Basisstruktur 10 beispielsweise aus einem Substrat 15 undeiner galvanisierten NiP-Schicht 20 zusammengesetzt sein.Das Substrat 15 kann z.B. aus einem Glas oder einem Metall/Metalllegierungsmaterialhergestellt sein. Glassubstrate die verwendet werden können, umfassenbeispielsweise ein Silika-enthaltendes Glas, wie z.B. Borosilikatglasund Aluminosilikatglas. Metallegierungssubstrate, die verwendet werdenkönnen,umfassen z.B. Aluminium-Magnesium-Substrate (AlMg). Bei einer alternativenAusführungsformkönnenandere Substratmaterialien, die Polymere und Keramiken umfassen,verwendet werden.
    [0033] DieNiP-Schicht 20 kann durch Galvanisierung, stromloses Abscheidenoder durch andere, aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren,gebildet werden. Das Beschichten des Plattensubstrats 15 miteinem festen oder metallischen Material, wie z.B. NiP, schafft einemechanische Verstärkungfür dasPlattensubstrat 15, z.B. für nachfolgende Polier- oderPrägeprozesse.Die NiP-Schicht 20 kann poliert, planarisiert oder strukturiertwerden. Die NiP-Schicht 20 kann poliert werden z.B. durcheine einheitliche Ätz-oder andere Poliertechnik, die aus dem Stand der Technik bekanntsind. Die NiP-Schicht 20 kann auch mit Hilfe vielfältiger Verfahrenwie beispielsweise mechanisches Strukturieren mit Hilfe von festenoder freien Schleifpartikeln (z.B. Diamant) mit einem Muster strukturiertwerden. Alternativ können andereArten von Strukturierungsverfahren, wie z.B. Laserstrukturieren,verwendet werden. Das Beschichten des Plattensubstrats 15 istjedoch nicht notwendig, wenn das Plattensubstrat 15 auseinem ausreichend festen und harten Material, wie beispielsweiseGlas, zusammengesetzt ist. Dementsprechend kann das Substrat 15 direktmit Hilfe der oben beschriebenen Verfahren poliert, planarisiert und/oderstrukturiert werden.
    [0034] Beieiner alternativen Ausführungsformkann die Basisstruktur 10 aus einem Substrat 15 mitanderen Schichten, die darauf abgeschieden sind, wie beispielsweiseeiner Weichmagnetschicht, zusammengesetzt sein. Die Schicht 20 kannals Weichmagnetschicht oder als Weichmagnetschicht, die auf einer NiP-Schichtaufgebracht ist, ausgebildet sein. Eine Weichmagnetschicht kannverwendet werden, um die geeigneten magnetischen Eigenschaften zuerreichen, die mit der Vertikalmagnetaufzeichnung verbunden sind.Die Weichmagnetschicht 25 kann eine Schicht eines Eisen-Kupfer-Nickel-Materials(FeCuNi) sein. Andere Materialien, die für die Weichmagnetschicht verwendetwerden können,umfassen Kupfer-Eisen (CuFe), Nickel-Eisen (NiFe) und LegierungenWeichmagnetschichten und Materialien, die zum Herstellen einer Weichmagnetschichtverwendet werden können,sind in dem Gebiet der magnetischen Aufzeichnungsplatten gut bekannt,daher werden dies nicht ausführlicherdiskutiert. Die Weichmagnetschicht kann poliert und/oder strukturiertwerden. Die Weichmagnetschicht kann mit einem Muster mit Hilfe vonzahlreichen Verfahren beispielsweise mechanischem Strukturierenmit Hilfe von festen oder freien Schleifpartikeln (z.B. Diamant)strukturiert werden. Alternativ können andere Typen von Strukturierungsverfahren,wie beispielsweise ein Laserstrukturieren, verwendet werden, umdie Weichmagnetschicht zu strukturieren. In einer weiteren Ausführungsformkann eine dünneNiP-Schicht auf der Weichmagnetschicht abgeschieden und poliert und/oderstrukturiert werden. In einer weiteren Ausführungsform kann die Weichmagnetschichtaus einer oder mehrerer Weichmagnetunterschichten und einer odermehreren Ru-Zwischenschichten,die zwischen den Weichmagnetunterschichten angeordnet sind, zusammengesetztsein.
    [0035] Wiezuvor beschrieben, wird in Schritt 110 die zweilagige Abdeckschicht 30 aufder Basisstruktur 10 angeordnet, um eine bedruckbare (prägbare) Schichtzu bilden. Die zweilagige Abdeckschicht 30 ist aus eineroberen Abdeckschicht 31 und einer unteren Abdeckschicht 32 zusammengesetzt.Die untere Abdeckschicht 32 weist ein Abdeckmaterial auf, dasweniger widerstandsfähiggegenüber Ätzen (z.B. Trocken-oder Naßätzen) alsdie obere Abdeckschicht ist. Zahlreiche Abdeckmaterialien können verwendetwerden, um die zweilagige Abdeckschicht 30 zu bilden. Beieiner Ausführungsformkann z.B. Polymethylmethacrylat (PMMA) für die untere Abdeckschicht 32 undein Co-Polymer – Polymethylmethacrylat-Metacrylsäure-Copolymer (P(MMA-MAA) – für die obereAbdeckschicht 31 verwendet werden. Alternativ können andereAbdeckmaterialien verwendet werden, z.B. PMMA und ein temperatureingestelltesPolymer, wie beispielsweise MR-I9000, das von Micro Resists Technologyaus Deutschland erhältlichist. Das besondere Abdeckmaterial für die zwei Schichten 31 und 32 sollteso ausgewähltsein, daß dieMaterialien sich im Wesentlichen nicht während eines Niedertemperatur-Einbrennprozesses oderwenn sie überihre Übergangstemperatur(TG) erwärmtwerden, vermischen.
    [0036] Beieiner Ausführungsformkönnendie Schichten 31 und 32 z.B. auf die Basisstruktur 10 mit Hilfeeiner Rotationsbeschichtung aufgebracht werden, um die zweilagigenSchicht 30 zu erzeugen. Die untere Abdeckschicht 32 istzuerst mit Hilfe der Rotationsbeschichtung auf der Basisstruktur 10 aufgebracht.Ein Niedertemperatur-Einbrennvorgang kann dann durchgeführt werden,um die Lösungsmittel auszutreiben.Als nächsteswird das Material der oberen Abdeckschicht 31 (z.B. P(MMA-MAA)Co-Polymer) mit Hilfeder Rotationsbeschichtung auf der unteren Schicht 32 (z.B.PMMA) aufgebracht. Die obere Abdeckschicht 31 kann auchin einem Niedertemperatur-Einbrennvorgang behandelt werden. Bei einerAusführungsformkann die obere, bzw. die untere Abdeckschicht 31, 32 sogebildet werden, dass jede Schicht z.B. im Bereich von ungefähr 10 bis50 nm-Dicke liegt, um eine Gesamtschichtdicke im Bereich von ungefähr 20 bis100 nm zu erreichen. Andere Beschichtungsmethoden, wie beispielsweise Tauchbeschichtung,Tauch- und Rotationsbeschichtung, Sprühbeschichtung, Sputterbeschichtungund Vakuumabscheidung (z.B. CVD) können verwendet werden.
    [0037] Diezweilagige Schicht 30 wird über seine Übergangstemperatur gemäß Schritt 130 erwärmt, beider sie viskoelastisch wird. Ein Prägestempel 90 wirddann in die zweilagige Schicht 30 gemäß Schritt 135 gedrückt. Beieiner Ausführungsformwird das System gemäß Schritt 143 gekühlt, umein eingeprägtesMuster von Grabenbereichen (auch bekannt als Senkungsbereiche, Gräben, Täler, usw.)und Plateaus (auch bekannt als Erhebungsbereiche) in der zweilagigeSchicht 30 (wie in 1b dargestellt)zu bilden, und anschließendwird der Prägestempel 90 vonder zweilagige Schicht 30 gemäß Schritt 140 getrennt.Alternativ kann der Prägestempel 90 vonder zweilagigen Schicht 30 gemäß Schritt 140 getrennt unddann gemäß Schritt 143 nachder Trennung gekühltwerden. Das Trennen des Prägestempels 90 vonder zweilagigen Schicht 30 vor dem Kühlen kann teilweise von demUnterschied des relativen Temperaturausdehnungskoeffizienten desMaterials des Prägestempels 90 unddes Materials der zweilagigen Schicht 30 abhängen.
    [0038] Beieiner Ausführungsformkann der Prägestempel 90 vorder Verwendung mit einem Formtrennpolymer beschichtet werden, umdie Trennung des Prägestempels 90 vonder zweilagige Schicht 30 nach dem Prägen zu erleichtern. AlternativeVerfahren könnenverwendet werden, um die Gräbenz.B. mit Hilfe eines flachen Prägens,auf das ein Ätzvorgangfolgt, der die Muster tiefer in das Abdeckmaterial schneidet, zubilden.
    [0039] Nachdemder Prägestempel 90 vonder zweilagigen Schicht 30 getrennt ist, kann eine kleine Restmengedes Formtrennpolymers (nicht gezeigt) auf dem Boden der Gräben verbleiben.In dem Schritt 145 könnendie Gräbenz.B. mit einem Sauerstoffplasmaätzenoder durch ein Nassätzenmit einem Lösungsmittelselektiv entfernt werden, um jeglichen Rest des Formtrennpolymerszu entfernen, wie in 1c dargestelltist. Sogar wenn der Prägestempel vertikaleSeitenwändeaufweist, was zu Gräbenmit vertikalen Seitenwändenführt,wird der Schritt 145 des selektiven Entfernens die Kantender beabsichtigten Struktur abrunden, was zu leicht abgeschrägten Seitenwänden, wiein 1c dargestellt ist,führt.
    [0040] Nachdem Entfernen des Restes des Formtrennpolymers verbleibt eine dünne Membran 36 des oberenAbdeckmaterials 31 (z.B. P(MMA-MAA)), der die Innenseitedes Grabens bedeckt. Diese dünne Membran 36 kanngemäß Schritt 150 entferntwerden, um ein nachfolgendes Unterschneiden des unteren Abdeckmaterials 32 zuverbessern. Die Membran 36 kann z.B. mit Hilfe eines naßchemischen Ätzverfahrensentfernt werden. Ein Lösungsmittel(z.B. Methanol) wird gewählt,um die obere Abdeckmaterial-Membran(z.B. die P(MMA-MAA)Polymer-Membran) zu ätzen, während das untere Abdeckmaterial 32 (z.B.PMMA-Polymer) nicht angegriffen wird. Dies ist ein isotropes Ätzen, dasnicht nur die dünneAbdeckmaterial-Membran 36 der oberen Schicht in den Gräben eliminiert,sondern auch die Dicke der oberen Abdeckschicht 31 deszweilagigen Abdeckmaterials 30 reduziert. Es sollte angemerktwerden, dass die Membran 36 durch andere Arten von Ätzverfahren (z.B.Plasma-, Elektronenstrahl-, Ionenstrahl- und Sputterätzen) entferntwerden kann.
    [0041] DernächsteSchritt 155 des Vorbereitens der Platte für die Metallabscheidungund das Abheben dient dazu, die untere Abdeckschicht 32 (z.B.PMMA) von dem Boden der Gräbenzu entfernen, wobei die untere Abdeckschicht 32 auch unterschnittenwird. Das Abhebeverfahren kann erheblich verbessert werden, wenndie zweilagige Schicht 30 zu einem bestimmten Grad unterschnittenwird.
    [0042] Elektronenstrahllithographieund Fotolithographie führennatürlicherweisezu einem Unterschnitt (in Positiv-Abdeckmaterialien) aufgrund von Beugungseffektenbei der Fotolithographie und Elektronenstreuung und Sekundärelektronenerzeugung indem Fotolack bei der Elektronenstrahllithographie. Bei der Prägelithographiewird der Unterschnitt mit Hilfe einer zweilagigen Schicht 30 erreicht.Die beiden Materialien, die fürdas zweilagige Abdeckmaterial 30 verwendet werden, PMMAund P(MMA-MAA) sind ausgewählt,so dass sie erheblich verschiedene chemische Eigenschaften aufweisen.Z.B. gibt es einen großenBereich von Lösungsmitteln,die PMMA angreifen, jedoch nicht P(MMA-MAA) und umgekehrt. Ebensokann das Entfernen und Unterschneiden mit Hilfe eines Lösungsmittelsdurchgeführtwerden (z.B. einer Chlorbenzollösung)die vorzugsweise das untere Abdeckmaterial (z.B. PMMA) ätzt, während dieobere Abdeckschicht 31 nicht angegriffen wird. Gemäß Schritt 155 wirddie Platte einem Lösungsmittelausgesetzt, das zumindest die untere Abdeckschicht 32 angreiftund vielleicht auch die obere Abdeckschicht. Auf diese Weise kannder Unterschnitt in den geprägtenStrukturen erzeugt werden, wie in 1c dargestelltist. Zusätzlichwird eine nachfolgend aufgedampfte Metallschicht keine durchgängige Schichtbilden, da die Dicke des abgeschiedenen Metalls geringer ist alsdie der unteren Abdeckschicht 32. Der Grad des Unterschnittskann durch eine zeitliche Steuerung des Lösungsmittelätzvorgangs durchgeführt werden.
    [0043] ImSchritt 165 wird ein Metallschichtenstapel 50 miteiner oder mehreren Metallschichten 53 auf der unterschnittenenzweilagigen Schicht 30 abgeschieden, wie in 1d dargestellt. Bei einerAusführungsformkann der magnetische Schichtenstapel 50 eine oder mehrereKeimbildungsschichten 51 aufweisen, um ein bestimmtes Kristallwachstuminnerhalb der magnetischen Schichten 53 zu erleichtern.Diese Schichten könnenaus Materialien sein, die eine einigermaßen gute Übereinstimmung mit dem Gitterdes Materials, das fürdie magnetischen Schichten 53 verwendet wird, zur Verfügung stellen.Die Herstellung und Zusammensetzung der magnetischen- und Keimbildungsschichtensind aus dem Stand der Technik bekannt, daher wird auf eine ausführliche Diskussionverzichtet.
    [0044] DerMagnetschichtenstapel kann auch eine oder mehrere Schutzschichten 58 umfassen,die auf den Magnetschichten 53 aufgebracht sind. Z.B. ein Doppelschutzschicht 58 kannauf die Magnetschichten 53 abgeschieden werden, um Eigenschaftenzur Verfügungzu stellen, die ausreichend sind, um den Reibungsanforderungen zugenügen,wie beispielsweise Kontakt-Start-Stop-Schutz(CSS)und Korrosionsschutz. Vorherrschende Materialien für die Schutzschichtsind Kohlenstoff-basierte Materialien, z.B. hydrogenierter odernitrogenierter Kohlenstoff. Die Schutzschichten können einezusammengesetzte Dicke von beispielsweise weniger als ungefähr 50 Angström aufweisen,wobei die Dicke der oberen Schutzschicht z.B. weniger als ungefähr 50 Angström beträgt. Alternativkönnendie Schutzschichten andere Dicken aufweisen. Bei einer alternativenAusführungsformkann der Schutzschicht 58 mehr oder weniger als zwei Schutzschichtenaufweisen. Die Schutzschichten können über denMagnetschichten 53 z.B. mit Hilfe chemischen Aufdampfens(CVD) aufgebracht werden, wie weiter unten in Verbindung mit 3 beschrieben ist.
    [0045] InSchritt 170 wird ein Abheben des magnetischen Schichtenstapels 50 mitHilfe eines Lösungsmittelsdurchgeführt,das zumindest die untere Abdeckschicht 32 ätzt. DasAbheben hinterläßt den Schichtenstapel 50 indiskreten Bereichen überder Basisstruktur 10, wie in 1e dargestelltist. Dies erzeugt eine DTR-strukturierte Magnetaufzeichnungsplattemit einer nicht durchgängigenSchutzschicht. Bei einer alternativen Ausführungsform können eineoder mehrere Schutzschichten nicht in dem Schichtenstapel 50 enthaltensein, jedoch nach dem Abheben des Schichtenstapel 50 abgeschiedenwerden. Eine Gleitschicht 59 kann auf der gesamten Oberfläche derPlatte aufgebracht sein, wie in Verbindung mit den 5a und 5b nachfolgendbeschrieben wird, um die Reibungseigenschaften weiter zu verbessern.Die Gleitschicht 59 kann z.B. aus einem Perfluorpolyäther odereinem Phosphozen-Gleitmittel zusammengesetzt sein. Alternativ können andere Gleitmaterialienfür dieGleitschicht 59 verwendet werden. Die Gleitsschicht 59 kannauf der Platte gemäß Schritt 175 mitHilfe zahlreicher Verfahren, wie beispielsweise Rotationsbeschichtung,Tauchbeschichtung, Rotations- und Tauchbeschichtung usw. aufgebrachtwerden. Die Gleitsschichten und -materialien sind gemäß dem Standder Technik bekannt, daher wird auf eine ausführliche Beschreibung verzichtet.
    [0046] Eswird angemerkt, daß zahlreicheReinigungs- und/oder Polieroperationen zwischen den oben beschriebenenVerfahrensständendurchgeführtwerden können,z.B. um Rauhheiten von der Oberfläche von einer oder mehrerender Schichten zu entfernen.
    [0047] Die 3 zeigt eine Ausführungsformeines chemischen Aufdampfverfahrens. Bei einer besonderen Ausführungsformkann ein plasmaverstärktes CVD-System(PECVD) 300 verwendet werden. PECVD-Systeme sind kommerziellverfügbar,z.B. von Anelva Corporation aus Tokio, Japan. Bei dieser beispielhaftenAusführungsformverwendet der PECVD-Prozeß eineRadiofrequenzanregung 310 (RF) eines Kohlenstoff enthaltendenGases 320, um ein Plasma 330 zu erzeugen, dasionisierte Kohlenstoffmoleküle 335 enthält, wiein 3 dargestellt ist. Beieiner besonderen Ausführungsformkann beispielsweise ein hydrogeniertes Kohlenstoffgas z.B. Äthylenacetylen,Butannaphtalen oder andere verwendet werden. 3 zeigt lediglich eine einzige, Seiteder Abscheidungskammer 305 zur vereinfachten Darstellung.Die nicht dargestellte Seite der Kammer wird ähnlich zu der dargestelltenSeite betrieben und weist ähnlicheKomponente auf, so dass beide. Seiten einer Platte 301 gleichzeitigbeschichtet werden können,um eine doppelseitige Platte zu erzeugen. Die Hochfrequenzleistungwird an eine Kohlenstoffplatte 340 angelegt, die als Kathodearbeitet. Die Hochfrequenzleistung erzeugt ein Plasma 330,das vor der Kathodenplatte 340 gebildet wird, um positiv geladene Hydrocarbongas-Ionen 335 zuerzeugen. Ein Anelva-PECVD-System ist ein statisches Abscheidungssystem,bei dem das Substrat stationär vorder Kathode gehalten wird. Bei einer Ausführungsform werden die Platten 301 aufeine Temperatur im Bereich von ungefähr 170 bis 500°C erwärmt unddas System mit einem Druck im Bereich von ungefähr 15 bis 50 Milli-Torr versehen.Alternativ kann das System mit einem Druck von mehr als 50 oder wenigerals 15 Milli-Torr versehen werden. Die ionisierten Hydrocarbonmoleküle 335 zerfallenin Kohlenstoff auf der Oberflächeder Platten 301. Bei einer Ausführungsform wird ein Vorspannungspotential 350 (z.B. – 200 Voltbis – 400Volt) an die Platten 301 angelegt, um eine Anziehung aufdie positiv geladenen Ionenmoleküle 335 zuder Oberflächeder Platte und insbesondere zu der Oberfläche nahe der unterschnittenenFlanken der oberen Abdeckschicht 31 hervorzurufen. Alternativkann ein größeres Vorspannungspotentialz.B. bis zu – 600Volt verwendet werden.
    [0048] Wieoben beschrieben, wird das CVD-Abscheidungssystem während desBetriebs mit einem Druck versehen. Der Druck des Abscheidungssystemsbeeinflußtden durchschnittlichen freien Weg der ionisierten Hydrocarbonmoleküle 335.Je höher derDruck des Systems währendder Abscheidung ist, desto größer istder Grad der nicht linearen Abscheidung (z.B. gestrichelte Linien 360).Eine nicht lineare Abscheidung kann zur Bildung der Kohlenstoffschichtunterhalb der unterschnittenen Flanken der oberen Abdeckschicht 31 führen, wiein 4 dargestellt ist.Ein statisches CVD-Abscheidungssystem arbeitet üblicherweise bei höheren Drücken alsein Sputter- oder IBD-System.Ein Sputter- oder IBD-System arbeitet typischerweise bei einem Druck vonweniger als 3 Milli-Torr Jedoch können Sputterverfahren (DC,AC oder AC/DC-Sputterverfahren) Hochenergiesputterverfahren (gepulstesSputtern) und Ionenstrahlabscheidung (IBD), die entweder statischeoder Inline-Systeme verwenden, auch für die Abscheidung der einenoder mehreren Schutzschichten verwendet werden.
    [0049] StatischeSputtersysteme sind von Herstellern wie beispielsweise Intevac Inc.aus Santa Clara, Kalifornien, Balzers Process Systems, Inc. ausAltenau, Deutschland, erhältlich.Bei Inline Sputtersystemen werden die Plattensubstrate auf einePalette geladen, die eine Reihe von Abscheidungskammern durchläuft, dienacheinander Schichten auf die Substrate abscheiden. Inline Sputtersystemesind von Ulvac Corporation aus Japan erhältlich. Es wird angemerkt,dass andere Temperaturen, Drücke,Vorspannungen und Dicken verwendet werden können als in der beispielhaftenAusführungsformbeschrieben wurden, insbesondere, wenn andere Systeme und Verfahrenverwendet werden.
    [0050] Beieiner alternativen Ausführungsformkönnendie typischen Drücke,bei denen die Systeme betrieben werden, erhöht werden, um die mittlerefreie Weglängeder Molekülezu verändern,um einen größeren Abscheidegradin einer nicht linearen Richtung zu erhalten, so dass die Bildungder Schutzschicht (z.B. Kohlenstoffschicht) unter den unterschnittenen Flankender oberen Abdeckschicht 31 gefördert wird. Z.B. kann bei einemPECVD-System der Druck des Abscheidungssystems bis zu ungefähr 60 Milli-Torr erhöht werden.ErhöhteDrückekönnenauch in anderen Typen von Abscheidungssystemen verwendet werden,z.B. bis zu 3 Milli-Torr bei Sputter- oder IBD-Systemen.
    [0051] 5a zeigt einen Querschnitt,der eine Ausführungsformeiner Platte mit einer nicht durchgehenden Schutzschicht darstellt.Bei einer Ausführungsformumfasst die Magnetaufzeichnungsplatte 530 eine Basisstruktur 10,Datenspeicherschichten 55, eine oder mehrere Schutzschichten 58 undeine Gleitschicht 59. Bei einer Ausführungsform können dieDatenspeicherschichten 55, die Keimbildungsschicht 51 und/odereine oder mehrere der Magnetschichten 53 umfassen, wieoben mit Bezug auf 1d beschriebenworden ist. Die eine oder mehreren Schutzschichten 58 können eineoder mehrere Schutzschichten enthalten, die nicht durchgängig auf derBasisstruktur 10 aufgebracht sind. Bei einer Ausführungsformkönnendie Schutzschichten 58 die Kanten 551 der Datenspeicherschichten 55 bedeckenund die Basisstruktur 10 kontaktieren. Die Basisstruktur 10 kannaus zahlreichen Schichten und Materialien wie oben beschrieben,zusammengesetzt sein. Bei einer alternativen Ausführungsform können eineoder mehrere durchgängigeSchutzschichten 561 unter der Gleitschicht 59 undauf den nicht durchgängigenSchutzschichten 58, wie in 5b dargestelltist, angeordnet sein. In einer weiteren Ausführungsform kann eine Schutzschicht durchgängig aufder Basisstruktur 10 und den Datenspeicherschichten 55 aufgebrachtsein.
    [0052] 6 stellt ein Plattenlaufwerkmit einer Platte (z.B, die Platte 530) mit einer nichtdurchgängigenSchutzschicht dar. Das Plattenlaufwerk 500 kann eine odermehrere Platten aufweisen, um Daten zu speichern. Die eine odermehreren Platten 530 sind auf einer Wellenanordnung 160 angeordnet,die an dem Plattengehäuse 580 befestigtist. Daten könnenentlang den Spuren in der magnetischen Aufzeichnungsschicht dereinen oder mehreren Platten 530 gespeichert werden. DasLesen und Schreiben von Daten wird mit dem Kopf 550 durchgeführt, der sowohlein Lese- als auch ein Schreibelement aufweist. Das Schreibelementwird verwendet, um die Eigenschaften der Magnetaufzeichnungsschichtder Platte 530 zu verändern.Bei einer Ausführungsform kannder Lesekopf 550 ein magnetoresistives Leseelement (MR)und insbesondere ein giantmagnetoresistives Leseelement (GMR) sein.Bei einer alternativen Ausführungsformkann der Kopf 550 ein anderer Typ eines Kopfes sein, z.B.ein Kopf, der ein induktives Leseelement oder einen Hall-Effekt-Kopfaufweist. Ein Wellenmotor (nicht gezeigt) dreht die Wellenanordnung 560 unddadurch die eine oder mehreren Platten 530, um den Kopf 550 aneiner besonderen Position entlang einer gewünschten Plattenspur zu positionieren.Die Position des Kopfes 550 bezüglich der Platte kann durcheinen Positionssteuerschaltkreis 570 gesteuert werden.
    [0053] Wieoben angemerkt, könnenzahlreiche Abdeckmaterialien verwendet werden, um die Abdeckschicht 30 zubilden. Bei einer Ausführungsformkann fürdie obere Abdeckschicht und die untere Abdeckschicht 32 desAbdeckmaterials 30 dasselbe Material verwendet werden.Bei einer solchen Ausführungsformkann die obere Abdeckschicht 31 und die untere Abdeckschicht 32 jeweilsin verschiedenen Prozessschritten oder alternativ in demselben Prozessschritt hergestelltwerden. Wenn sie in demselben Prozessschritt hergestellt werden,bilden die obere Abdeckschicht 31 und die untere Abdeckschicht 32 eineeinlagige Abdeckschicht, wie in 7A dargestelltist.
    [0054] Die 7a, 7b, 8a und 8b zeigen alternative Ausführungsformeneines Verfahrens zum Prägeneiner Abdeckschicht. Die Abdeckschicht 730 kann aus einemeinlagigen oder aus einem mehrlagigem Abdeckmaterial, wie oben beschrieben,zusammengesetzt sein. Die Materialien, die für die Abdeckschicht 730 verwendetwerden, und die Art ihrer Bearbeitung kann ähnlich zu denjenigen sein,die oben mit Bezug auf die Abdeckschicht 30 beschriebenwurden. Die Abdeckschicht 730/die Basisstruktur 15 undder Prägestempel 90 werdenauf oder überdie „ Glasübergangstemperatur" (Tg) der Abdeckschicht 730 in Schritt 830 erwärmt. DieGlasübergangstemperatur istein Fachbegriff, der sich auf die Temperatur bezieht, über derein Polymer-Material viskoelastisch wird (und die für jedesPolymer unterschiedlich ist).
    [0055] DerPrägestempel 90 wirddann in die Abdeckschicht 730 in Schritt 835 gedrückt. Beieiner Ausführungsformwird der Prägestempelvon der Abdeckschicht 730 in Schritt 840 getrenntund dann nach dem Trennen in Schritt 843 abgekühlt. EinegeprägteStruktur von Grabenbereichen (auch als Senkungsbereiche, Gräben, Täler usw.bekannt) und Plateaus (auch bekannt als Erhebungsbereiche) wird dadurchin der Abdeckschicht 830 (wie in 7b dargestellt) gebildet. Das Trennendes Prägestempels 90 vonder Abdeckschicht 730 vor dem Abkühlen kann den Trennungsprozessvereinfachen und zu weniger Beschädigungen der geprägten Strukturin der Abdeckschicht 730 führen.
    [0056] Beieiner alternativen Ausführungsform,die in 8b dargestelltist, kann in Schritt 850 das System auf eine Temperatur über derRaumtemperatur vor dem Trennen des Prägestempels 90 vonder Abdeckschicht 730 in Schritt 860 abgekühlt werden. Wennzum Beispiel die Abdeckschicht 730 über seine Übergangstemperatur erwärmt wird,könnendie gekoppelten Prägestempel 90/Abdeckschicht 730 aufeine niedrigere Temperatur bis auf ungefähr die Glasübergangstemperatur der Abdeckschicht 730 vordem Trennen abgekühltwerden. Alternativ könnenin einem anderen Beispiel die gekoppelten Prägestempel 90 /Abdeckschicht 730 vordem Trennen auf eine Temperatur im Bereich von der Übergangstemperaturder Abdeckschicht 730 bis gerade über der Raumtemperatur abgekühlt werden.
    [0057] Die 8c zeigt eine alternativeAusführungsformdes Prägenseiner Abdeckschicht, wobei die Abdeckschicht vor dem Prägen vorgewärmt wird. Beidieser Ausführungsformkönnendie Abdeckschicht 730 und der Prägestempel 90 voneinander getrennterwärmtwerden. Nach dem Aufbringen der Abdeckschicht 730 auf derBasisstruktur kann diese Struktur auf die Prägetemperatur (z.B. auf oder über dieGlasübergangstemperaturder Abdeckschicht) vor ihrem Einbringen in das Prägesystemin Schritt 812 vorgewärmtwerden. In Schritt 814 wird die vorgewärmte Abdeckschicht 730 /Basisstruktur 15 nahe demPrägestempelangeordnet. Alternativ kann die Abdeckschicht 730 / Basisstruktur 15 aufeine Temperatur unter der Prägetemperatur(z.B. nahe der Prägetemperatur)vorgewärmtwerden und dann auf die Prägetemperaturaufgewärmtwerden, während odernachdem sie in die Nähedes Prägestempels gebrachtworden sind. Alternativ könnendie Abdeckschicht 730 / Basistruktur 15 auf dieTemperatur des Prägestempels/Prägetemperaturvorgewärmtwerden und geprägtwerden, nachdem sie nahe an den Prägestempel gebracht worden sind.
    [0058] DerPrägestempel 90 wirddann in Schritt 835 in die Abdeckschicht 730 beider Prägetemperaturgedrückt.Der Prägestempelwird dann in Schritt 840 von der Abdeckschicht 730 nachdem Prägen getrennt.Bei einer Ausführungsformkönnenin Schritt 841 die Abdeckschicht 730 / Basisstruktur 15 ausder Nähedes Prägestempels 90 entferntwerden und dann auf eine Temperatur unter der Glasübergangstemperaturder Abdeckschicht 730 abgekühlt werden. Eine Prägestrukturvon Grabenbereichen (auch als Senkungsbereiche, Gräben, Täler usw.bekannt) und Plateaus (auch als Erhebungsbereiche bekannt) werdendadurch in der Abdeckschicht 830 gebildet (wie in 7b dargestellt ist).
    [0059] Nachdem Prägeneiner Struktur in die Abdeckschicht 730 kann eine DTR Magnetaufzeichnungsplattemit zahlreichen Verfahren, wie z.B. Metallstapelabscheidung undAbheben wie zuvor beschrieben, hergestellt werden. Alternativ können andereVerfahren verwendet werden, um eine DTR-Magnetplatte zu schaffen,wie z.B. in der anhängigen AnmeldungNr. 10/306182, eingereicht am 27. November 2002, und in der AnmeldungNr. 10/306315, eingereicht am 27. November 2002, beschrieben, auf diehiermit Bezug genommen wird. Auch andere aus dem Stand der Technikbekannte Verfahren können verwendetwerden, um eine DTR-Magnetplatte zu schaffen.
    [0060] Inder vorangehenden Beschreibung wird die Erfindung mit Bezug aufdie besonderen beispielhaften Ausführungsformen beschrieben. Esist jedoch offensichtlich, daß zahlreicheModifikationen und Änderungendurchgeführtwerden können,ohne von dem breiteren Bereich der Erfindung, die in den nachfolgendenAnsprüchenbeansprucht ist, abzuweichen. Die Beschreibung und Figuren sindsinngemäß eher beschreibendals einschränkendanzusehen.
    权利要求:
    Claims (21)
    [1] Verfahren mit folgenden Schritten: – Erwärmen einesPrägestempelsund einer Abdeckschicht; – Prägen desPrägestempelsin die Abdeckschicht; – Trennendes Prägestempelsvon der Abdeckschicht; und – Abkühlen der Abdeckschicht nachdem Trennen.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, der Prägestempel und die Abdeckschichtauf eine Temperatur von mindestens einer Glasübergangstemperatur der Abdeckschichterwärmtwird.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Prägen desPrägestempelsin die Abdeckschicht das Prägen desPrägestempelsin die Abdeckschicht, um eine Struktur von Grabenbereichen und Plateaubereichen zuerzeugen, umfasst.
    [4] Verfahren nach Anspruch 1, mit dem weiteren Schrittdes Aufbringens der Abdeckschicht auf einer Basisstruktur vor demErwärmen,wobei die Basisstruktur ein Substrat umfasst.
    [5] Verfahren nach Anspruch 4, mit dem weiteren Schrittdes selektiven Entfernens der Abdeckschicht, um eine Struktur vonBereichen auf der Basisstruktur zu bilden, in denen sich kein Abdeckmaterialbefindet.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, mit dem weiteren Schrittdes Aufbringens einer Magnetschicht auf der Basisstruktur in denBereichen, in denen sich kein Abdeckmaterial befindet.
    [7] Verfahren nach Anspruch 5, mit dem weiteren Schrittdes Ätzensder Basisstruktur mit Hilfe der strukturierten Abdeckschicht.
    [8] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Abdeckschichteine einlagige Abdeckschicht umfasst.
    [9] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Abdeckschichteine mehrlagige Abdeckschicht umfasst.
    [10] Verfahren nach Anspruch 2, mit dem weiteren Schrittdes Vorerwärmensder Abdeckschicht auf eine Temperatur.
    [11] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Erwärmen desPrägestempelsund der Abdeckschicht ein getrenntes Erwärmen des Prägestempels und der Abdeckschichtumfasst.
    [12] Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Prägestempel.und die Abdeckschicht auf eine Prägetemperatur von zumindestder Glasübergangstemperaturder Abdeckschicht getrennt erwärmtwerden.
    [13] Verfahren nach Anspruch 12, mit dem weiteren Schrittdes Anordnens der Abdeckschicht in der Nähe des Prägestempels, während dieTemperatur der Abdeckschicht sich bei etwa der Prägetemperaturbefindet.
    [14] Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Prägestempelauf eine erste Temperatur von mindestens einer Glasübergangstemperaturder Abdeckschicht erwärmtwird und wobei die Abdeckschicht getrennt auf eine zweite Temperaturunter der ersten Temperatur erwärmtwird.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, mit dem weiteren Schrittdes Erwärmensder Abdeckschicht auf die erste Temperatur.
    [16] Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Prägestempelauf eine erste Temperatur von mindestens einer Glasübergangstemperaturder Abdeckschicht erwärmtwird und wobei die Abdeckschicht getrennt auf eine zweite Temperaturunter der ersten Temperatur erwärmtwird.
    [17] Verfahren mit folgenden Schritten: – Erwärmen einesPrägestempelsund einer Abdeckschicht auf eine erste Temperatur von mindestenseiner Übergangstemperaturder Abdeckschicht; – Prägen desPrägestempelsin die Abdeckschicht; – Abkühlen derAbdeckschicht auf eine zweite Temperatur über der Raumtemperatur; und – Trennendes Prägestempelsvon der Abdeckschicht.
    [18] Verfahren nach Anspruch 17, mit dem weiteren Schrittdes Aufbringens der Abdeckschicht auf einer Basisstruktur vor demErwärmen,wobei die Basisstruktur ein Substrat umfasst.
    [19] Verfahren nach Anspruch 17, mit den weiteren Schritten: – Selektives Ätzen derAbdeckschicht, um eine Struktur von Bereichen auf der Basisstrukturzu bilden, in denen sich kein Abdeckmaterial befindet; und – Aufbringenseiner Magnetschicht auf der Basisstruktur in den Bereichen, in denensich kein Abdeckmaterial befindet.
    [20] Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Abdeckschichteine einlagige Abdeckschicht umfasst.
    [21] Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Abdeckschichteine mehrlagige Abdeckschicht umfasst.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    引用文献:
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